موفقیت تحسین برانگیز دانشمندان IBM در نسل جدید حافظه

|
۰ دیدگاه
pcm

برای اولین بار دانشمندان در بخش تحقیقات IBM ذخیره سازی ۳ بایت داده به ازای هر سلول را با استفاده از فناوری جدید حافظه ایجاد کردند که با عنوان حافظه تغییر فاز(phase-change memory) یا PCM شناخته می‌شود.

به گزارش کلیک، این حافظه جدید از DRAM تا درایوهای هارد دیسک گرفته و فلش‌های رایج را در بر می‌گیرد. اما در چند سال گذشته PCM توجه صنعت را به عنوان یک فناوری حافظه جهانی بر اساس ترکیب سرعت خواندن و نوشتن، استقامت، بدون نوسان ومتراکم جلب کرده است. برای مثال، بر خلاف DRAM اگر PCM خاموش شود داده‌های خود را از دست نخواهد داد و فناوری آن می‌تواند حداقل ده میلیون چرخه رایت را تحمل کند، در مقایسه با یک فلش معمولی USB که حداقل ۳۰۰۰ چرخه رایت را تحمل می‌کند.

این تحقیقات باعث ایجاد ذخیره‌سازی سریع و آسان برای تصرف رشد نمایی داده‌ها از دستگاه‌های تلفن همراه و اینترنت اشیا است.

اپلیکیشن‌ها

دانشمندان IBM در نظر دارند یک PCM مستقل مانند اپلیکیشن‌های ترکیبی ایجاد کنند که ترکیبی از PCM و فلش‌ مموری باشد، و از PCM به عنوان یک کش بسیار سریع استفاده شود. برای مثال، سیستم عامل تلفن همراه می‌تواند در PCM ذخیره شود و تلفن را قادر می‌سازد تا در چند ثانیه آماده به کار شود. در فضای سازمانی، کل پایگاه داده می‌تواند در PCM ذخیره شود تا پردازش و جستجوی سریع برای اپلیکیشن‌های آنلاین وابسته به زمان، مانند معاملات مالی فراهم شود.

الگوریتم‌های یادگیری ماشینی با استفاده از پایگاه داده‌های بزرگ نیز می‌توانند افزایش سرعت و کاهش تاخیر هنگام خواندن داده را تجربه کنند.

PCM چگونه کار می‌کند

مواد PCM دو حالت ثابت دارند، فازغیر متبلور(بدون یک ساختار تعریف شده مشخص) و فاز کریستالی(دارای ساختار) که به‌ترتیب هدایت الکتریکی پایین و بالا دارند. برای ذخیره ۰ و ۱ یا همان بیت‌ها روی سلول PCM، یک جریان الکتریکی بالا یا متوسط به مواد اعمال می‌شود. یک “۰” می‌تواند طوری برنامه‌ریزی شود که در فاز آمورف(غیر متبلور) رایت شود یا “۱” در فاز کریستالی رایت شود و یا برعکس٫ سپس برای خواندن این بیت‌ها یک ولتاژ پایین اعمال می‌شود. دیسک‌های بلوری با قابلیت رایت مجدد، اینگونه فیلم‌ها را ذخیره می‌کنند.

پیش از این دانشمندان IBM و دیگر موسسات توانسته بودند با موفقیت توانایی ذخیره ۱ بیت به ازای هر سلول PCM را به‌انجام رسانند اما امروز در کارگاه بین‌المللی حافظه IEEE در پاریس، دانشمندان IBM برای اولین بار با موفقیت ۳ بیت به ازای هر سلول را در یک سلول ۶۴k را در دمای بالا و پس از یک میلیون چرخه ذخیره کنند.

دکتر هریس پوزیدیس، نویسنده مقاله و مدیر تحقیقات حافظه غیر فرار در آی‌بی‌ام گفت “حافظه تغییر فاز اولین نوع از حافظه جهانی با خواص هردو فلش و DRAM است و پاسخی به یکی از بزرگ‌ترین چالش‌های صنعت محسوب می‌شود. رسیدن به بیت به ازای هر سلول یک نقطه عطف محسوب می‌شود به این دلیل که در این تراکم هزینه PCM کاهش یافته و به فلش نزدیک می‌شود.

منبع: phys

0 پسندیده شده
مهرنوش چمنی
از این نویسنده

بدون دیدگاه

جهت ارسال پیام و دیدگاه خود از طریق فرم زیر اقدام و موارد زیر را رعایت نمایید:
  • پر کردن موارد الزامی که با ستاره قرمز مشخص شده است اجباری است.
  • در صورتی که سوالی را در بخش دیدگاه مطرح کرده باشید در اولین فرصت به آن پاسخ داده خواهد شد.