ترانزیستورهای باریک اتمی امکان ساخت پوست الکترونیکی را فراهم می‌کنند!
رسانه کلیک - پژوهشگران دانشگاه استنفورد به تازگی گام مهمی را در راستای تولید پوست الکترونیکی برداشته و موفق به ایجاد یک ساختار انعطاف‌پذیر بسیار باریک شده‌اند.
پیشرفت‌های متعددی طی سال‌های اخیر پیرامون ساخت پوست‌های الکترونیکی صورت گرفته است. رؤیای ساخت پوست الکترونیکی تنها در صورتی تحقق می‌یابد که قطعه کاربردی به جای پوست به اندازه‌ای باریک باشد که دیده نشود. خوشبختانه به نظر می‌رسد که دانشمندان به تازگی به چنین دستاوردی رسیده‌اند.
پژوهشگران دانشگاه استنفورد روش جدیدی را پیشنهاد کرده‌اند که می‌تواند ترانزیستورهای باریک اتمی با طول کمتر از 100 نانومتر را به وجود آورد. این اندازه، چندین برابر کوتاه‌تر از ترانزیستورهای قبلی ساخته‌شده توسط این پژوهشگران است.
این موفقیت به لطف حل یکی از چالش‌های قدیمی در فناوری انعطاف‌پذیر حاصل شده است. با اینکه نیمه‌رساناهای 2 بعدی کارایی مناسبی دارند، اما تنها به شرط رسیدن گرمای کافی خاصیت انعطاف‌پذیری پیدا می‌کنند.
رویکرد جدید شامل سیلیکونی با پوشش شیشه‌ای به همراه یک نوار نیمه‌رسانای فوق باریک (دی سولفید مولیبدن) می‌شود که به وسیله الکترودهای طلا با الگوی نانو پوشانده شده است.
این رویکرد موجب ساخت یک نوار با ضخامت تنها سه اتم در دمای تقریبا 1500 فارنهایت می‌شود. بد نیست بدانید که یک بستر پلاستیکی معمولی در دمای حدود 680 فارنهایت تغییر شکل می‌دهد.
پس از سرد شدن مؤلفه‌ها، تیم پژوهشی می‌تواند از نوار به دست آمده به عنوان بستر اصلی استفاده کرده و پس از اجرای چند مرحله، در نهایت یک ساختار کلی با ضخامت 5 میکرون را ایجاد کند (ده برابر باریک‌تر از موی انسان).
البته هنوز اقدامات و کارهای زیادی در راستای تحقق پوست الکترونیکی باقی مانده که باید به آن‌ها رسیدگی شود. پژوهشگران قصد دارند حین اصلاح فناوری انعطاف‌پذیر، تکنولوژی بی‌سیم را به آن اضافه کنند، بدون اینکه به سخت‌افزار چندانی احتیاج باشد. در صورت موفقیت، می‌توان چشم‌انتظار عرضه پوست‌های الکترونیکی، کاشت ها و سایر دستگاه‌های انعطاف‌پذیر در اندازه تقریبا نامرئی بود.