رونمایی سامسونگ از فناوری 14 نانومتری FinFET برای سنسور 144 مگاپیکسلی

اکثر مواقع از کلمه لیتوگرافی برای پردازنده ها استفاده می کنیم؛ با این حال سامسونگ ایده دیگری دارد. تیم این شرکت کره ای در کنفرانس IEDM 2019 از تکنولوژی سنسور 144 مگاپیکسلی تصویربرداری بر پایه فرایند 14 نانومتری FinFET رونمایی کرد. چالش اصلی این است که سنسورهای دوربین برای کار کردن به ولتاژ بالا (2 ولت و بالاتر) نیاز دارند و تمام سازندگان چیپست به دنبال کاهش ولتاژ برای مصرف انرژی بهینه و کاهش دما هستند.

بر اساس تحقیقات سامسونگ، فناوری 14 نانومتری FinFET باعث کاهش 42 درصدی مصرف انرژی سنسور 144 مگاپیکسلی می شود. این میزان کاهش مصرف انرژی در زمان عکسبرداری به صورت 10 فریم بر ثانیه بدست می آید. برای سنسورهای 12 مگاپیکسلی و ضبط ویدیو به صورت 30 تا 120 فریم بر ثانیه، این کاهش مصرف انرژی به 37 درصد می رسد.

لازم به ذکر است؛ سامسونگ اشاره ای به اندازه پیکسل نکرده است. فرایند 14 نانومتری به ترانزیستورهایی که سیگنال های ارسالی از پیکسل ها به همراه دیگر پردازش های سخت افزاری دیجیتالی و نرم افزاری در سنسور تصویربرداری را تقویت می کند، اشاره دارد.

بر اساس جدیدترین شایعات، گوشی های سری گلکسی اس 11 به دوربین اصلی 108 مگاپیکسلی مجهز می شوند ( احتمال عرضه گلکسی S11 پلاس با سنسور سفارشی ایزوسل Bright HMX ). با توجه به این موضوع، نباید منتظر استفاده از این سنسور 144 مگاپیکسلی در پرچمداران آینده سامسونگ باشیم. رندرهای منتشر شده به حضور یک المان چهارگوش روی پنل پشتی این محصولات اشاره می کند ( رندرهای جدید گلکسی S11 سامسونگ خبرساز شد ).