تولید انبوه DRAMهای جدید سامسونگ با لیتوگرافی ۱۰ نانومتری آغاز شد
سامسونگ به طور رسمی اعلام کرد که تولید گسترده نسل جدید DRAMهای ۸ گیگابایتی بهرهمند از لیتوگرافی ۱۰ نانومتری خود را به منظور استفاده در کامپیوترهای شخصی آغاز کرده است.
در ابتدا باید بگوییم که منظور از DRAM چیست! عبارت DRAM در واقع مخفف "Dynamic Random Acces Memory" به معنای "حافظه دسترسی تصادفی پویا" است. این قطعات نوعی از حافظه دسترسی تصادفی محسوب میشوند که هر بیت را در یک خازن جداگانه ذخیره میکنند. رمهایی که در کامپیوترهای خانگی و لپتاپها به کار گرفته شدهاند این نوع قطعات هستند.
کمپانی کرهای سامسونگ علاوه بر طراحی و تولید تبلت و گوشیهای هوشمند اندرویدی در زمینههای متنوع دیگری نیز فعالیت میکند. به عنوان مثال این شرکت بخش عظیمی از فعالیتهای خود را معطوف به تولید لوازم خانگی اختصاصی، تلویزیونهای هوشمند و ... کرده است. در این راستا سامسونگ هر ساله سرمایههای عظیمی را نیز صرف توسعه و ارتقاء تکنولوژیهای خط تولید خود مینماید.
اما علاوه بر موبایل، تبلت، لوازم خانگی و سایر دستگاههای هوشمند، کمپانی سامسونگ در زمینه طراحی و تولید ریزپردازندههای موبایلی و چیپهای گوناگون نیز شرکتی کاملا شناخته شده و قدرتمند محسوب میشود. سامسونگ همواره نشان داده که از نظر تکنولوژی تولید یا اصطلاحا لیتوگرافی به منظور تولید چیپها یک شرکت پیشتاز است. در سال ۲۰۱۵ این شرکت کرهای پرچمداران خود یعنی دو گوشی گلکسی S6 و گلکسی S6 Edge را به تراشه داخلی اگزینوس ۷۴۲۰ خود مجهز کرد. تراشه اگزینوس ۷۴۲۰ سامسونگ اولین تراشهای محسوب میشد که از لیتوگرافی ۱۴ نانومتری بهرهمند بود. تا پیش از آن اغلب کمپانیهای تولید کننده تراشه نظیر شرکت تایوانی TSMC از لیتوگرافی ۱۸ نانومتری بهرهمند میشدند. بنابراین سامسونگ رسما اولین کمپانی بود که لیتوگرافی ۱۴ نانومتری را در چیپهای موبایلی به مرحله بهرهبرداری رساند.
این موضوعات و قدرت سامسونگ در زمینه تولید تراشهها یا چیپهای موبایلی منجر شده که حتی کمپانیهای بزرگی نظیر اپل که رقیب اصلی این برند کرهای محسوب میشود، به منظور دستیابی به بهترین کیفیت ممکن ملزم به همکاری با آن شوند. اپل طی چند سال اخیر برای تولید سری تراشههای A خود با شرکت سامسونگ همکاری میکند و از تکنولوژیهای پیشرفته خط تولید این برند کرهای بهره میبرد. بنابراین جای تردیدی وجود ندارد که سامسونگ در زمینه طراحی و تولید چیپهای موبایلی یک شرکت فوقالعاده قدرتمند و پیشتاز است. سامسونگ علاوه بر سیستم روی چیپ (SoC) قطعات دیگری نظیر رم را نیز تولید میکند و ظاهرا به تازگی این شرکت کرهای خط تولید انبوه ۱۰ نانومتری DRAMهای خود را راهاندازی کرده است.
به گزارش کلیک، سامسونگ به طور رسمی اعلام کرده که خط تولید DRAMهای ۸ گیگابایتی نوع DDR4 خود به منظور استفاده در کامپیوترهای شخصی را راهاندازی کرده است. این موضوع در حالی است که سامسونگ در سال ۲۰۱۴ اولین شرکتی بود که شروع به تولید انبوه DRAMهای ۴ گیگابایتی نوع DDR3 بهرهمند از لیتوگرافی ۲۰ نانومتری کرده بود. حال که چیزی در حدود دو سال از این موضوع میگذرد، سامسونگ به طور رسمی اعلام کرده که از این پس به تولید DRAMهای ۸ گیگابایتی نوع DDR4 طی فرآیند تولید ۱۰ نانومتری میپردازد. بنابراین باز هم سامسونگ اولین برند و کمپانی است که توانسته به این مهم دست پیدا کرده و تولید انبوده DRAMهای خود را تحت لیتوگرافی ۱۰ نانومتری آغاز نماید.
البته اشاره به این موضوع که هم اکنون سامسونگ به تولید DRAMهای ۱۰ نانومتری میپردازد بدین معنا نیست که تمامی DRAMهای بعدی تولید شده از سوی این شرکت از لیتوگرافی ۱۰ نانومتری بهرهمند میشوند. سامسونگ در تولید DRAMهای خود تصمیم میگیرد که در چه شرایطی از گره یا نودهای (Node) 10 الی ۱۹ نانومتری استفاده کند. این موضوع دو سال گذشته نیز صادق بود و سامسونگ DRAMهای خود را با نودهای ۲۰ الی ۲۹ نانومتری تولید میکرد. بنا به ادعای کمپانی سامسونگ استفاده از لیتوگرافی ۱۰ نانومتری در تولید DRAMهای جدید این شرکت منجر میشود تا این قطعات از نظر سطح بهرهوری به عالیترین درجه ممکن دست پیدا کنند. ظاهرا لیتوگرافی ۱۰ نانومتری سامسونگ از نظر بهرهوری چیزی در حدود ۳۰ درصد نسبت به لیتوگرافی ۲۰ نانومتری برتری دارد. سامسونگ اشاره داشته که نسل جدید و بهرهمند از لیتوگرافی ۱۰ نانومتری DRAMهای این کمپانی در آینده بسیار نزدیک روانه بازار میشوند.
منبع: androidheadlines