SMIC تولید آزمایشی پردازنده نسل دوم N + 1 خود را در مقیاس کوچک آغاز می‌کند

اخیراً در یک همایش، شرکت بین المللی تولید کننده تراشه‌های نیمه هادی (SMIC) مستقر در شانگهای اعلام کرد که تولید آزمایشی پردازنده‌های نسل دوم N + 1 با تکنولوژی نیمه‌هادی FinFET خود را در مقیاس کوچک آغاز کرده است. این خبر در پاسخ سخن‌گوی به سوال یک سرمایه‌گذار در مورد پیشرفت شرکت در تحقیق و توسعه و تولید پردازنده‌های 7 نانومتری فاش شد.

SMIC برای اولین بار اعلام کرد که در سال 2019 به تولید انبوه پیشرفته‌ترین پردازنده 14 نانومتری در چین دست یافته است. این پردازنده نسل اول پردازنده‌های با تکنولوژی FinFET است و تولید انبوه در سه ماهه چهارم سال 2019 آغاز شده است. این شرکت از این پردازنده در تولید چیپست Hisilicon Kirin 710A که ابتدا در Honor Play 4T و سپس در چند محصول دیگر هواوی مورد استفاده قرار گرفت، استفاده کرد.

در سپتامبر سال جاری، هنگامی که سرمایه گذاران برای تأیید اخبار داخلی در مورد تولید انبوه تراشه‌های نسل بعدی این شرکت سوال کردند، SMIC پاسخ داد که نسل دوم فرآیند N + 1 با تکنولوژی نیمه‌هادی FinFET این کمپانی در اصل وارد مرحله معرفی به مشتری شده است. این شرکت همچنین اشاره کرد که انتظار میءرود تولیدات مقیاس کوچک (تولید آزمایشی) این پردازنده را تا پایان سال 2020 آغاز کند.

بعداً در ماه اکتبر، شرکت چینی INNOSILICON، تولید کننده طرح‌های مفهومی یک‌پارچه و تراشه‌های سفارشی اعلام کرد که اولین روند برش تراشه و آزمایش تراشه در جهان را بر اساس فرآیند پیشرفته FinFET N + 1 در SMIC به پایان رسانده است. این طرح به صورت تماما یک پارچه در داخل ساخته می شوند.

در مورد پردازنده نسل دوم N + 1 ، لیانگ منگسونگ، مدیر عامل SMIC در اوایل سال جاری اعلام کرد که این پردازنده از نظر قدرت و ثبات بسیار شبیه به پردازنده‌های 7 نانومتری است و به لیتوگرافی EUV نیازی ندارد. پایه‌های پردازنده نسل دوم N + 1 هشت نانومتری است و این شرکت در تلاش برای تبدیل آن‌ها به پایه‌های 7nm است. در مقایسه با فرایند 14 نانومتری، پردازنده N + 1 کمپانی SMIC دارای 20٪ افزایش عملکرد و 57٪ کاهش مصرف برق است، در حالی که عملکرد معیار بازار 7 نانومتری در حال حاضر 35٪ می‌باشد. اگرچه این خبر مثبتی است، اما SMIC هنوز سالها از TSMC عقب مانده است که به روند 5 نانومتری روی آورده و در حال حاضر روی پایه‌های 3 نانومتری نسل بعدی خود کار می‌کند.